掩模版的制作方法
该技术已申请专利。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
1.本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩模版。
背景技术：
2.在oled(organic light-emitting diode,有机发光二极管)器件的制造工艺中，常采用open mask(开口掩模版)进行膜层蒸镀。
3.open mask在开口位置一般采用半刻蚀设计，以防止mask与面板的外围设计发生刮擦。半刻蚀后，半刻蚀区域的厚度减薄，强度降低。在蒸镀工艺过程中，半刻蚀区域由于厚度偏薄，在磁力作用下会产生上翘形变，从而刮伤膜层产生微粒(particle)，导致封装失效，产生信赖性风险。且会接触面板产生静电释放(electro-static discharge，esd)现象，影响产品良率。
技术实现要素：
4.鉴于上述问题，提出了本实用新型以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种掩模版。
5.本实用新型提供了一种掩模版，所述掩模版包括：
6.至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括半刻蚀区域以及围绕所述半刻蚀区域设置的未刻蚀区域，所述半刻蚀区域具有开口；
7.其中，所述半刻蚀区域的表面设有改性层，所述改性层为包括金属元素和非金属元素的金属化合物层。
8.可选地，所述半刻蚀区域的第一表面与所述未刻蚀区域的表面形成台阶，所述第一表面设有所述改性层。
9.可选地，所述第一表面包括靠近所述开口的第一边缘，所述改性层覆盖所述第一边缘与预设边界之间的区域；其中，所述第一边缘与所述预设边界之间的距离大于或等于所述第一边缘与所述台阶之间的距离的二分之一。
10.可选地，所述半刻蚀区域的所述第一表面和与所述第一表面相对的第二表面均形成有所述改性层。
11.可选地，所述改性层中的非金属元素为氮或碳，所述金属元素为铁或镍。
12.可选地，所述半刻蚀区域的厚度为所述未刻蚀区域的厚度的10％～50％。
13.可选地，所述半刻蚀区域和所述未刻蚀区域为一体式结构。
14.可选地，所述半刻蚀区域和所述未刻蚀区域的材质为因瓦合金。
15.可选地，所述掩模版包括多个掩膜单元，所述多个掩膜单元中的所述开口呈矩阵阵列布置。
16.可选地，所述掩模版为显示面板蒸镀用开口掩模版。
17.本实用新型实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
18.本实用新型实施例提供的掩模版，通过在半刻蚀区域的表面设置改性层，改性层
为包括金属元素和非金属元素的金属化合物层，具备高强度、低磁性、低导电性的特性。一方面，可以提升半刻蚀区域的结构强度，并降低半刻蚀区域的铁磁性，改善半刻蚀区域在磁力作用下产生上翘形变的情况，防止半刻蚀区域上翘形变而刮伤膜层，产生微粒，最终导致封装失效的情况发生。另一方面，可以降低半刻蚀区域的导电能力，防止刻蚀区域上翘形变与面板接触，产生静电释放现象，最终起到提升产品良率与品质的作用。
19.上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本实用新型的具体实施方式。
附图说明
20.通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
21.图1是相关技术提供的一种掩模版的上翘形变示意图；
22.图2是相关技术提供的一种面板膜层刮伤的部分结构示意图；
23.图3是相关技术提供的另一种掩模版的上翘形变示意图；
24.图4是相关技术提供的一种显示面板esd现象的部分结构示意图；
25.图5是本实用新型实施例提供的一种掩模版的结构示意图；
26.图6是本实用新型实施例提供的一种掩模版的使用示意图。
具体实施方式
27.下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。
28.在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
29.在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。在本公开的上下文中，相似或者相同的部件可能会用相同或者相似的标号来表示。
30.为了更好的理解上述技术方案，下面将结合具体的实施方式对上述技术方案进行详细说明，应当理解本公开内容实施例以及实施例中的具体特征是对本技术技术方案的详细的说明，而不是对本技术技术方案的限定，在不冲突的情况下，本技术实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
31.相关技术中提供了一种掩模版，参考图1所示，该掩模版100在开口位置采用半刻蚀设计。该掩模版通过面板上方的磁条(图1未示出)与面板紧紧贴合，然而该掩模版100的半刻蚀区域110的厚度较薄，在磁力作用(图1中x方向为磁力方向)下会上翘形变，刮伤膜层，产生微粒，最终导致封装失效。参考图2所示，图2中圆圈标注位置即为膜层刮伤位置。
32.同时，参考图3所示，该掩模版100的半刻蚀区域110上翘形变后还会接触面板产生esd现象，影响产品良率。参考图4所示，图4中圆圈标注位置即为易产生esd现象的位置。
33.为了解决上述问题，本实用新型实施例提供了一种掩模版。图5是本实用新型实施例提供的一种掩模版的结构示意图，如图5所示，该掩模版200包括至少一个掩膜单元210。每个掩膜单元210均包括半刻蚀区域211以及围绕半刻蚀区域211设置的未刻蚀区域212。半刻蚀区域211具有开口a，半刻蚀区域211的表面设有包含非金属离子的改性层213。
34.通过在半刻蚀区域的表面设置改性层，改性层为包括金属元素和非金属元素的金属化合物层，具备高强度、低磁性、低导电性的特性。一方面，可以提升半刻蚀区域的结构强度，并降低半刻蚀区域的铁磁性，改善半刻蚀区域在磁力作用下产生上翘形变的情况，防止半刻蚀区域上翘形变而刮伤膜层，产生微粒，最终导致封装失效的情况发生。另一方面，可以降低半刻蚀区域的导电能力，防止刻蚀区域上翘形变与面板接触，产生静电释放现象，最终起到提升产品良率与品质的作用。
35.在本实用新型的一种实现方式中，半刻蚀区域211的第一表面211a与未刻蚀区域212的表面形成台阶，第一表面211a设有改性层213。
36.由于在蒸镀工艺中，第一表面211a靠近面板膜层设置，因此，在第一表面211a上设置改性层213，可以有效起到加强半刻蚀区域211的靠近面板膜层一侧的强度的作用。同时，还可以有效降低半刻蚀区域211的靠近面板膜层一侧的铁磁性，改善半刻蚀区域211的翘曲形变。
37.可选的，第一表面211a包括靠近开口a的第一边缘s1，改性层213覆盖第一边缘s1与预设边界s0之间的区域p(图5中示出了部分)。其中，第一边缘s1与预设边界s0之间的距离d1大于或等于第一边缘s1与台阶之间的距离d2的二分之一。
38.由上述图1和图3可知，半刻蚀区域211的翘曲主要发生在靠近开口a的一侧，因此，通过在易产生翘曲的区域p内设置改性层，不仅可以有效改善半刻蚀区域的翘曲形变，还可以降低改性层的制造成本。
39.在本实用新型的另一种实现方式中，半刻蚀区域211的第一表面211a和与第一表面211a相对的第二表面211b均形成有改性层213，可以进一步加强半刻蚀区域211的强度、降低铁磁性和导电性，提高产品良率。
40.可选的，改性层213中的非金属元素为氮或碳，金属元素为铁或镍，均为比较常见的元素，便于实际获取制备。需要说明的是，改性层213中的非金属元素和金属元素还可以为其它元素、或元素组合，能形成具备高强度、低磁性、低导电性的特性的改性层即可，本实用新型对此不作限定。
41.具体的，可以通过在金属材质的半刻蚀区域211上形成非金属离子，使得非金属离子与半刻蚀区域211内的金属元素结合形成改性层213，即金属化合物层。
42.示例性的，半刻蚀区域211和未刻蚀区域212为一体式结构，可以保证掩模版200的整体强度。
43.可选的，半刻蚀区域211和未刻蚀区域212的材质为因瓦合金。因瓦合金为镍铁合金，具有良好的尺寸稳定性、塑性和容易消磁的特点，且因瓦合金的膨胀系数接近于零，采用因瓦合金来制作掩模版，有利于提高掩模版的制作精度。
44.可选地，半刻蚀区域211的厚度为未刻蚀区域212的厚度的10％～50％，以保证半
刻蚀区域211对面板外围结构的避让效果。
45.需要说明的是，在本实施例中，半刻蚀区域211和改性层213的厚度方向为垂直于第一平面211a的方向。
46.可选的，掩模版200包括多个掩膜单元210，多个掩膜单元210中的开口a呈矩阵阵列布置，以用于形成面板的各个像素单元。
47.图6是本实用新型实施例提供的一种掩模版的使用示意图，如图6所示，半刻蚀区域211的表面设有改性层213，加强了半刻蚀区域211的结构强度，降低了半刻蚀区域211的铁磁性和导电性，因此，大大改善了半刻蚀区域211在磁力作用下产生上翘形变的情况。
48.本实用新型提供的掩模版200为显示面板蒸镀用开口掩模版(open mask)，主要应用于各显示装置的蒸镀制造工艺。在具体实施时，显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
49.在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本实用新型的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
50.类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个实用新型方面中的一个或多个，在上面对本实用新型的示例性实施例的描述中，本实用新型的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本实用新型要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，实用新型方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本实用新型的单独实施例。
51.应该注意的是上述实施例对本实用新型进行说明而不是对本实用新型进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的部件或步骤。位于部件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的部件。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
1.本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩模版。
背景技术：
2.在oled(organic light-emitting diode,有机发光二极管)器件的制造工艺中，常采用open mask(开口掩模版)进行膜层蒸镀。
3.open mask在开口位置一般采用半刻蚀设计，以防止mask与面板的外围设计发生刮擦。半刻蚀后，半刻蚀区域的厚度减薄，强度降低。在蒸镀工艺过程中，半刻蚀区域由于厚度偏薄，在磁力作用下会产生上翘形变，从而刮伤膜层产生微粒(particle)，导致封装失效，产生信赖性风险。且会接触面板产生静电释放(electro-static discharge，esd)现象，影响产品良率。
技术实现要素：
4.鉴于上述问题，提出了本实用新型以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种掩模版。
5.本实用新型提供了一种掩模版，所述掩模版包括：
6.至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括半刻蚀区域以及围绕所述半刻蚀区域设置的未刻蚀区域，所述半刻蚀区域具有开口；
7.其中，所述半刻蚀区域的表面设有改性层，所述改性层为包括金属元素和非金属元素的金属化合物层。
8.可选地，所述半刻蚀区域的第一表面与所述未刻蚀区域的表面形成台阶，所述第一表面设有所述改性层。
9.可选地，所述第一表面包括靠近所述开口的第一边缘，所述改性层覆盖所述第一边缘与预设边界之间的区域；其中，所述第一边缘与所述预设边界之间的距离大于或等于所述第一边缘与所述台阶之间的距离的二分之一。
10.可选地，所述半刻蚀区域的所述第一表面和与所述第一表面相对的第二表面均形成有所述改性层。
11.可选地，所述改性层中的非金属元素为氮或碳，所述金属元素为铁或镍。
12.可选地，所述半刻蚀区域的厚度为所述未刻蚀区域的厚度的10％～50％。
13.可选地，所述半刻蚀区域和所述未刻蚀区域为一体式结构。
14.可选地，所述半刻蚀区域和所述未刻蚀区域的材质为因瓦合金。
15.可选地，所述掩模版包括多个掩膜单元，所述多个掩膜单元中的所述开口呈矩阵阵列布置。
16.可选地，所述掩模版为显示面板蒸镀用开口掩模版。
17.本实用新型实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
18.本实用新型实施例提供的掩模版，通过在半刻蚀区域的表面设置改性层，改性层
为包括金属元素和非金属元素的金属化合物层，具备高强度、低磁性、低导电性的特性。一方面，可以提升半刻蚀区域的结构强度，并降低半刻蚀区域的铁磁性，改善半刻蚀区域在磁力作用下产生上翘形变的情况，防止半刻蚀区域上翘形变而刮伤膜层，产生微粒，最终导致封装失效的情况发生。另一方面，可以降低半刻蚀区域的导电能力，防止刻蚀区域上翘形变与面板接触，产生静电释放现象，最终起到提升产品良率与品质的作用。
19.上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本实用新型的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本实用新型的具体实施方式。
附图说明
20.通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
21.图1是相关技术提供的一种掩模版的上翘形变示意图；
22.图2是相关技术提供的一种面板膜层刮伤的部分结构示意图；
23.图3是相关技术提供的另一种掩模版的上翘形变示意图；
24.图4是相关技术提供的一种显示面板esd现象的部分结构示意图；
25.图5是本实用新型实施例提供的一种掩模版的结构示意图；
26.图6是本实用新型实施例提供的一种掩模版的使用示意图。
具体实施方式
27.下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。
28.在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
29.在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。在本公开的上下文中，相似或者相同的部件可能会用相同或者相似的标号来表示。
30.为了更好的理解上述技术方案，下面将结合具体的实施方式对上述技术方案进行详细说明，应当理解本公开内容实施例以及实施例中的具体特征是对本技术技术方案的详细的说明，而不是对本技术技术方案的限定，在不冲突的情况下，本技术实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
31.相关技术中提供了一种掩模版，参考图1所示，该掩模版100在开口位置采用半刻蚀设计。该掩模版通过面板上方的磁条(图1未示出)与面板紧紧贴合，然而该掩模版100的半刻蚀区域110的厚度较薄，在磁力作用(图1中x方向为磁力方向)下会上翘形变，刮伤膜层，产生微粒，最终导致封装失效。参考图2所示，图2中圆圈标注位置即为膜层刮伤位置。
32.同时，参考图3所示，该掩模版100的半刻蚀区域110上翘形变后还会接触面板产生esd现象，影响产品良率。参考图4所示，图4中圆圈标注位置即为易产生esd现象的位置。
33.为了解决上述问题，本实用新型实施例提供了一种掩模版。图5是本实用新型实施例提供的一种掩模版的结构示意图，如图5所示，该掩模版200包括至少一个掩膜单元210。每个掩膜单元210均包括半刻蚀区域211以及围绕半刻蚀区域211设置的未刻蚀区域212。半刻蚀区域211具有开口a，半刻蚀区域211的表面设有包含非金属离子的改性层213。
34.通过在半刻蚀区域的表面设置改性层，改性层为包括金属元素和非金属元素的金属化合物层，具备高强度、低磁性、低导电性的特性。一方面，可以提升半刻蚀区域的结构强度，并降低半刻蚀区域的铁磁性，改善半刻蚀区域在磁力作用下产生上翘形变的情况，防止半刻蚀区域上翘形变而刮伤膜层，产生微粒，最终导致封装失效的情况发生。另一方面，可以降低半刻蚀区域的导电能力，防止刻蚀区域上翘形变与面板接触，产生静电释放现象，最终起到提升产品良率与品质的作用。
35.在本实用新型的一种实现方式中，半刻蚀区域211的第一表面211a与未刻蚀区域212的表面形成台阶，第一表面211a设有改性层213。
36.由于在蒸镀工艺中，第一表面211a靠近面板膜层设置，因此，在第一表面211a上设置改性层213，可以有效起到加强半刻蚀区域211的靠近面板膜层一侧的强度的作用。同时，还可以有效降低半刻蚀区域211的靠近面板膜层一侧的铁磁性，改善半刻蚀区域211的翘曲形变。
37.可选的，第一表面211a包括靠近开口a的第一边缘s1，改性层213覆盖第一边缘s1与预设边界s0之间的区域p(图5中示出了部分)。其中，第一边缘s1与预设边界s0之间的距离d1大于或等于第一边缘s1与台阶之间的距离d2的二分之一。
38.由上述图1和图3可知，半刻蚀区域211的翘曲主要发生在靠近开口a的一侧，因此，通过在易产生翘曲的区域p内设置改性层，不仅可以有效改善半刻蚀区域的翘曲形变，还可以降低改性层的制造成本。
39.在本实用新型的另一种实现方式中，半刻蚀区域211的第一表面211a和与第一表面211a相对的第二表面211b均形成有改性层213，可以进一步加强半刻蚀区域211的强度、降低铁磁性和导电性，提高产品良率。
40.可选的，改性层213中的非金属元素为氮或碳，金属元素为铁或镍，均为比较常见的元素，便于实际获取制备。需要说明的是，改性层213中的非金属元素和金属元素还可以为其它元素、或元素组合，能形成具备高强度、低磁性、低导电性的特性的改性层即可，本实用新型对此不作限定。
41.具体的，可以通过在金属材质的半刻蚀区域211上形成非金属离子，使得非金属离子与半刻蚀区域211内的金属元素结合形成改性层213，即金属化合物层。
42.示例性的，半刻蚀区域211和未刻蚀区域212为一体式结构，可以保证掩模版200的整体强度。
43.可选的，半刻蚀区域211和未刻蚀区域212的材质为因瓦合金。因瓦合金为镍铁合金，具有良好的尺寸稳定性、塑性和容易消磁的特点，且因瓦合金的膨胀系数接近于零，采用因瓦合金来制作掩模版，有利于提高掩模版的制作精度。
44.可选地，半刻蚀区域211的厚度为未刻蚀区域212的厚度的10％～50％，以保证半
刻蚀区域211对面板外围结构的避让效果。
45.需要说明的是，在本实施例中，半刻蚀区域211和改性层213的厚度方向为垂直于第一平面211a的方向。
46.可选的，掩模版200包括多个掩膜单元210，多个掩膜单元210中的开口a呈矩阵阵列布置，以用于形成面板的各个像素单元。
47.图6是本实用新型实施例提供的一种掩模版的使用示意图，如图6所示，半刻蚀区域211的表面设有改性层213，加强了半刻蚀区域211的结构强度，降低了半刻蚀区域211的铁磁性和导电性，因此，大大改善了半刻蚀区域211在磁力作用下产生上翘形变的情况。
48.本实用新型提供的掩模版200为显示面板蒸镀用开口掩模版(open mask)，主要应用于各显示装置的蒸镀制造工艺。在具体实施时，显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
49.在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本实用新型的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
50.类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个实用新型方面中的一个或多个，在上面对本实用新型的示例性实施例的描述中，本实用新型的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本实用新型要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，实用新型方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本实用新型的单独实施例。
51.应该注意的是上述实施例对本实用新型进行说明而不是对本实用新型进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的部件或步骤。位于部件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的部件。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
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一种超声波洗涤设备的制作方法